SI对全球所有高校及科研机构的SCIE、各国SSCI库中近11年的论文数据进行统计，各国按被引频次的高低确定出衡量研究绩效的阈值，分别排出居世界前1%的研究机构、科学家、研究论文，居世界前50%的国家/地区和居前0.1%的热点论文。

一般而言，争抢制高螺型位错的滑移需要克服一个高能量势垒，而刃型位错则需要克服一个高能量势垒BCC金属。©2023ActaMaterialiaInc.图4(a)3个试样的塑性区深度:20℃有雪崩，产业200℃无雪崩，300℃有雪崩。

各国(b)HfNbTiZr,Fe和W中螺型位错与边缘位错的相对迁移率随温度的变化。争抢制高纳米压痕是在中间的大晶粒中进行的。仔细研究了MoNbTi压痕下的位错结构，产业发现了高阶滑移面的萌生和边缘位错的残留。

HEAs中的浓度波有助于室温下自发的扭结对成核，各国因此扭结对的成核不再是螺型位错运动的限制因素，而扭结的膨胀和交叉扭结的失效才是限制因素。争抢制高(c-e)基于HfNbTiZr中位错的弓形确定螺型位错与边缘位错的相对迁移率。

产业(e-g)三种不同衍射g矢量下区2位错结构。

各国©2023ActaMaterialiaInc.图3(a)在300℃处形成雪崩的压痕下位错结构。争抢制高(b)不同温度下的PL峰位置。

产业(e)MACuBrI在室温下的PL衰减和拟合曲线。目前虽然已经合成了许多含有单一卤素的铜卤化物，各国但是在含混合卤素的铜基卤化物中，多个自陷态激子（STEs）的发光过程尚未得到系统的研究。

争抢制高图1(a)MA4Cu2Br6和MACuBrI通晶体结构示意图。产业(b)MACuBrI单晶在可见光和紫外光下的图像。